N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The part HFP830 is manufactured by SEMIHOW. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Package Type**: SOT-89  
- **Transistor Type**: PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: -2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for the HFP830 as provided by SEMIHOW.