500V N-Channel MOSFET The HFD4N50 is a power MOSFET manufactured by various companies, including STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (with heatsink)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions.