N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 0.066 Ohm The **FDD2582** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component features a low **on-resistance (RDS(on))** and high current-handling capability, making it suitable for switching and amplification tasks in various electronic circuits.  

With a **30V drain-to-source voltage (VDS)** rating and a continuous drain current (**ID**) of up to **-13A**, the FDD2582 is optimized for efficiency in power supply designs, motor control, and battery management systems. Its **logic-level gate drive** ensures compatibility with low-voltage control signals, simplifying integration into modern digital circuits.  

The MOSFET is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Its **fast switching characteristics** help minimize power losses, contributing to energy-efficient designs. Additionally, the device incorporates **avalanche ruggedness**, enhancing reliability in demanding environments.  

Engineers favor the FDD2582 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, load switches, or protection circuits, this MOSFET provides a dependable solution for power electronics applications. Its robust construction and industry-standard specifications make it a versatile choice for both commercial and industrial systems.

N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 0.066 Ohm The **FDD2582** from Fairchild Semiconductor is a high-performance **P-channel MOSFET** designed for power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, making it suitable for switching and load control in various electronic circuits.  

With a **-30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **-12A continuous drain current (ID)**, the FDD2582 is optimized for efficiency in power conversion systems, battery management, and motor control. Its **logic-level gate drive** ensures compatibility with low-voltage control signals, simplifying circuit design.  

The MOSFET is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Its **fast switching characteristics** reduce power losses, enhancing energy efficiency in high-frequency applications.  

Engineers often select the FDD2582 for its **reliability and robustness**, backed by Fairchild Semiconductor’s stringent quality standards. Whether used in DC-DC converters, power supplies, or portable electronics, this MOSFET provides a dependable solution for demanding power-handling requirements.  

For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure proper integration within their systems.