The FQB7N10LTM is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. Manufactured by Fairchild Semiconductor, this component features a low on-resistance (RDS(on)) of 0.7 Ω (max) at 10V gate drive, ensuring minimal conduction losses and improved energy efficiency.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of 7A, the FQB7N10LTM is well-suited for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its fast switching characteristics and robust thermal performance make it ideal for high-frequency operations.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Additionally, its gate charge (Qg) and input capacitance (Ciss) are optimized to reduce switching losses, enhancing overall system performance.  

Engineers and designers will appreciate the FQB7N10LTM for its reliability, efficiency, and versatility in demanding electronic circuits. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent performance under varying load conditions.  

Fairchild Semiconductor’s commitment to quality ensures that the FQB7N10LTM meets stringent industry standards, making it a dependable choice for modern power applications.

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 100V  
- **Current Rating (I_D)**: 7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 45W  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.85Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for switching applications.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)