IC Phoenix logo

Home ›  F  › F18 > FQB7N10LTM

FQB7N10LTM from FAIRCHILD,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

FQB7N10LTM

Manufacturer: FAIRCHILD, FSC

100V N-Channel Logic Level QFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQB7N10LTM FAIRCHILD, FSC 1540 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel Logic Level QFET **Introduction to the FQB7N10LTM MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQB7N10LTM is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. Manufactured by Fairchild Semiconductor, this component features a low on-resistance (RDS(on)) of 0.7 Ω (max) at 10V gate drive, ensuring minimal conduction losses and improved energy efficiency.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of 7A, the FQB7N10LTM is well-suited for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its fast switching characteristics and robust thermal performance make it ideal for high-frequency operations.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Additionally, its gate charge (Qg) and input capacitance (Ciss) are optimized to reduce switching losses, enhancing overall system performance.  

Engineers and designers will appreciate the FQB7N10LTM for its reliability, efficiency, and versatility in demanding electronic circuits. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent performance under varying load conditions.  

Fairchild Semiconductor’s commitment to quality ensures that the FQB7N10LTM meets stringent industry standards, making it a dependable choice for modern power applications.

Application Scenarios & Design Considerations

100V N-Channel Logic Level QFET# FQB7N10LTM N-Channel MOSFET Technical Documentation

 Manufacturer : FSC (Fairchild Semiconductor)

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQB7N10LTM is a 100V N-Channel MOSFET specifically designed for high-efficiency power conversion applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) in both forward and flyback topologies
- DC-DC converters for industrial and computing applications
- OR-ing controllers and hot-swap circuits
- Power factor correction (PFC) circuits

 Motor Control Applications 
- Brushless DC motor drivers
- Stepper motor controllers
- Industrial motor drives up to several hundred watts

 Lighting Systems 
- LED driver circuits
- High-intensity discharge (HID) lighting ballasts
- Electronic ballasts for fluorescent lighting

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives, power supplies for control systems
-  Telecommunications : Base station power systems, server power supplies
-  Consumer Electronics : High-power audio amplifiers, large display drivers
-  Automotive : Auxiliary power systems, lighting controls (non-safety critical)
-  Renewable Energy : Solar inverter auxiliary circuits, battery management systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(ON) : 45mΩ maximum at VGS = 10V enables high efficiency operation
-  Fast Switching : Typical switching times under 30ns reduce switching losses
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against inductive load switching
-  Logic Level Compatible : Can be driven directly from 5V microcontroller outputs
-  Low Gate Charge : 18nC typical reduces drive circuit requirements

 Limitations: 
-  Voltage Rating : 100V maximum limits use in high-voltage applications
-  Thermal Performance : Requires proper heatsinking for continuous high-current operation
-  Package Constraints : TO-220 package may be bulky for space-constrained designs
-  SOA Limitations : Requires careful consideration of safe operating area at high voltages

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and excessive losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of 1-2A peak current
-  Pitfall : Gate oscillation due to poor layout and excessive trace inductance
-  Solution : Implement tight gate loop with series gate resistor (2.2-10Ω)

 Thermal Management 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate power dissipation and select appropriate heatsink using thermal resistance calculations
-  Pitfall : Poor PCB thermal design causing localized heating
-  Solution : Use thermal vias and adequate copper area for heat spreading

 Protection Circuits 
-  Pitfall : Missing overcurrent protection during fault conditions
-  Solution : Implement current sensing and desaturation detection
-  Pitfall : Voltage spikes from inductive loads exceeding VDS rating
-  Solution : Use snubber circuits and TVS diodes for voltage clamping

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Compatible with most common gate driver ICs (IR21xx, TC42xx series)
- Requires attention to driver output voltage levels (4.5V to 20V recommended)
- May need level shifting when interfacing with 3.3V microcontroller systems

 Synchronous Rectification 
- Well-suited for synchronous buck converters when paired with appropriate control ICs
- Body diode characteristics compatible with most PWM controllers
- Consider reverse recovery time when used in bridge configurations

 Sensing and Feedback Circuits 
- Compatible with current sense resistors and Hall effect sensors
- Works well with most common

Alternative Part Number

  • IRF540NPBF --: 100V N-channel MOSFET with comparable RDS(on) and current rating, widely available and pin-compatible in TO-220.
  • STP10NK60ZFP --: N-channel MOSFET with similar voltage and current class, suitable as a functional replacement in switching applications.
  • FQP7N10 --: Same 100V 7A N-channel MOSFET class in TO-220 package, offering equivalent electrical characteristics.
  • STP16NF06L --: Logic-level 60V N-channel MOSFET with similar gate drive requirements and low RDS(on), good functional substitute for low-voltage switching.
  • IRLZ44NPBF --: Logic-level 55V N-channel MOSFET with low gate threshold and high current capability, commonly used as an alternative in similar power switching circuits.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips