200V P-Channel MOSFET The **FQB3P20** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of -20V and a continuous drain current (I_D) of -3.7A, this component is well-suited for low-voltage switching and power regulation tasks.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of 85mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of -4.5V, the FQB3P20 minimizes power losses, enhancing energy efficiency in circuits. Its fast switching characteristics make it ideal for applications such as DC-DC converters, load switching, and battery protection systems.  

The MOSFET is housed in a compact **TO-252 (DPAK)** package, providing a balance between thermal performance and board space optimization. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics.  

Engineers and designers will appreciate the FQB3P20’s combination of low conduction losses, thermal stability, and ease of integration, making it a versatile solution for modern power electronics designs.