Silicon NPN Power Transistors The 2SD362 is a silicon NPN transistor manufactured by NEC. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 40-320
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

Silicon NPN Power Transistors The 2SD362 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1A
- **Power Dissipation (Pc):** 10W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C

The transistor is packaged in a TO-220 package.