NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SD313 is a silicon NPN transistor manufactured by various companies, including FAI (Fairchild Semiconductor International). The FAI specifications for the 2SD313 transistor typically include the following key parameters:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Power Dissipation (Pc):** 25W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 20MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are standard for the 2SD313 transistor and are used to ensure proper performance in various electronic applications.

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SD313 is a silicon NPN transistor manufactured by Sanyo. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 30W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 3MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD313 transistor as provided by Sanyo.