NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 30V/8A High-Speed Switching Applications The **2SD1235** is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring robust performance in switching and amplification circuits. With a collector-emitter voltage (*V_CE*) rating of **150V** and a collector current (*I_C*) capability of **10A**, this transistor is well-suited for power supply regulators, motor control, and audio amplification systems.  

Featuring a low saturation voltage and high current gain (*h_FE*), the 2SD1235 ensures efficient operation with minimal power loss. Its **TO-220** package allows for effective heat dissipation, making it reliable in high-temperature environments. Additionally, the transistor’s fast switching speed enhances its performance in pulse-width modulation (PWM) applications.  

Engineers often select the 2SD1235 for its durability and consistent performance under demanding conditions. When designing circuits, proper heat sinking and adherence to maximum ratings are essential to maintain optimal functionality. As with any power transistor, ensuring correct biasing and load matching will maximize efficiency and longevity.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to confirm electrical characteristics and thermal considerations. The 2SD1235 remains a dependable choice for power electronics requiring high voltage and current handling capabilities.