NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Large-Current Switching Applications The 2SD1207 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Sanyo. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector Current (Ic):** 12A
- **Collector Power Dissipation (Pc):** 80W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for high-power applications requiring robust performance.