Silicon NPN Power Transistors The 2SD1136 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by UTG (Unisonic Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by UTG for the 2SD1136 transistor.

Silicon NPN Power Transistors The part 2SD1136 is a silicon NPN transistor manufactured by HIT (Hitachi). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.