**Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 25W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg):** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High voltage capability.  
- Low saturation voltage.  
- Complementary to KSA1023 (PNP transistor).  
- TO-126 package.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)