Silicon transistor The 2SD1001-T2 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F (isolated type)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 1A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching.

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SD1001-T2 transistor.