### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and motor control.  
- TO-252 (DPAK) surface-mount package for compact designs.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Verify datasheet for precise application details.)