SILICON EPITAXIAL PLANAR The 2SC641-K is a transistor manufactured by HITACHI. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: For high-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 3.0dB (typical at VCE=10V, IC=1mA, f=1kHz)
- **DC Current Gain (hFE)**: 40-200 (at VCE=6V, IC=1mA)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.