0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including ON Semiconductor, STMicroelectronics, and Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Applications:**  
- Amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

The "-25" suffix typically indicates a higher gain (h_FE) grouping compared to standard BC337 variants.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN transistor. Here are the key specifications from the manufacturer MOT (Motorola):

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 800mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These are the factual specifications provided by MOT for the BC337-25 transistor.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT).  

**Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)  

**Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45V  
- **Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Package:** TO-92  

**Note:** The "-25" suffix indicates a specific h_FE range (160–400).  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC337-25.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 **Introduction to the BC337-25 Transistor**  

The BC337-25 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. With a collector current rating of 800 mA and a collector-emitter voltage of 45 V, it is well-suited for low- to medium-power circuits. The "25" suffix indicates a higher current gain (hFE) range of 160–400, making it particularly efficient in signal amplification.  

This transistor is housed in a TO-92 package, offering a compact and cost-effective solution for various electronic designs. Its low saturation voltage and fast switching characteristics enhance performance in driver circuits, audio amplifiers, and relay controls. Additionally, the BC337-25 is often paired with complementary PNP transistors, such as the BC327, for push-pull configurations.  

Engineers and hobbyists favor the BC337-25 for its reliability, wide availability, and ease of integration into circuit designs. While it is not intended for high-frequency or high-power applications, its versatility makes it a staple in many analog and digital projects. Proper heat dissipation and adherence to maximum ratings ensure optimal performance and longevity in practical use.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 800mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **Current Gain (h_FE)**: 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BC337-25 transistor.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN transistor manufactured by FAIRCHILD. Here are its key specifications:  

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 800mA (continuous)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

The BC337-25 is commonly used in amplification and switching applications.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple companies, including Fairchild Semiconductor (FAI). Below are the factual specifications for the BC337-25 from Fairchild Semiconductor:  

### **Key Specifications (FAI BC337-25):**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 160–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- General-purpose amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC337-25. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ITT (International Telephone and Telegraph). Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 800mA (max)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160-400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (min)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on ITT's datasheet for the BC337-25.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN transistor manufactured by MOTO (Motorola). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 800mA (max)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 160-400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on MOTO's datasheet for the BC337-25 transistor.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.800A Ic, 160 The BC337-25 is a general-purpose NPN transistor manufactured by NS (NXP Semiconductors). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 800mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 160-400 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.