Silicon NPN triple diffusion mesa type The 2SC5909 is a high-voltage, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Power Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 8 to 40 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5909 transistor as provided by Panasonic.