SILICON NPN EPITAXIAL TYPE The 2SC5807 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification and high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5807 transistor and are used in various electronic applications requiring high-speed switching and high-frequency amplification.