COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS The 2N3773 is a high-power NPN transistor manufactured by Motorola (MOT). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3 metal can
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 140V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 16A (continuous)
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C case temperature)
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60 (at 8A, 4V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 2 MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N3773 transistor.