TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type The 2SC5714 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 1 A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6 V, IC = 0.5 A)
- **Transition Frequency (fT):** 150 MHz (at VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 100 MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SC5714 transistor as provided by Toshiba.