FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE The 2SC5619 is a high-frequency transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 0.1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 0.3W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

These specifications are based on the typical characteristics of the 2SC5619 transistor as provided by Mitsubishi.

FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE The 2SC5619 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 800MHz
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 800MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5619 transistor and are used in various high-frequency and high-speed switching applications.