Power Device The 2SC5505 is a high-frequency transistor manufactured by Panasonic. Below are the factual specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification in VHF/UHF bands
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on specific application conditions.

Power Device The 2SC5505 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5505 transistor, designed for applications requiring high-speed switching and amplification.