NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD The 2SC5508 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching and amplification in RF and VHF bands
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are typical for the 2SC5508 transistor as provided by Renesas.

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD The 2SC5508 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-23

These specifications make it suitable for low-noise amplification and high-speed switching in communication devices.