For Low Frequency Power Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type Micro The 2SC5482 is a high-frequency transistor manufactured by Mitsubishi Electric (MIT). It is designed for use in RF amplification applications, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications make it suitable for low-noise amplification in communication devices and other high-frequency circuits.