TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5411 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and microwave applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 12V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323 (Miniature Surface Mount Package)

This transistor is suitable for low-noise amplification and high-speed switching in communication devices and other RF applications.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5411 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SC5411 transistor:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching, RF amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 4V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain-Bandwidth Product**: High-frequency performance
- **Package**: SOT-323 (miniature surface-mount package)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5411 transistor. For detailed performance curves and additional electrical characteristics, refer to the official datasheet.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS The 2SC5411 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for use in RF amplifiers and oscillators. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 30V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 15V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 3V
- Collector Current (IC): 50mA
- Total Power Dissipation (PT): 150mW
- Transition Frequency (fT): 7GHz
- Noise Figure (NF): 1.5dB (typical at 1GHz)
- Package: SOT-323

These specifications make the 2SC5411 suitable for applications in VHF and UHF bands, such as in mobile communication devices and other high-frequency circuits.