TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS The 2SC5353 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 300V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 300V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Package**: TO-3P

These specifications are typical for the 2SC5353 transistor as provided by Toshiba.

TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS The 2SC5353 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in RF and VHF amplifier applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 6000MHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain-Bandwidth Product (fT)**: 6000MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC5353 transistor as provided by Toshiba.