Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part number 2SD2499 is a transistor manufactured by SAMSUNG. Here are the specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector Current (Ic)**: 2A
- **Power Dissipation (Pd)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2499 transistor and are used in various electronic applications requiring medium power amplification or switching.