Microwave noise reduced amplifier/high gain amplifier The 2SC5369-T1 is a transistor manufactured by NEC. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 30V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 20V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 50mA
- Total Power Dissipation (PT): 150mW
- Transition Frequency (fT): 6GHz
- Noise Figure (NF): 1.5dB (typical at 1GHz)
- Package: SOT-323 (SC-70)

These specifications are typical for high-frequency applications, such as RF amplification in communication devices.