TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. The 2SC5201 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 230V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 15A
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 55 to 160 (at I_C = 5A, V_CE = 5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 30MHz
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-264 (also known as TO-3P)

This transistor is commonly used in high-power amplification and switching applications.