NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION The 2SC5179 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching, RF amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 230V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Collector Capacitance (CC)**: 20pF
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SC5179 transistor.