Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5148 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5148 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SC5148 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification, high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz (typical)
- **Collector Capacitance (Cob)**: 4.5pF (typical)
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.