Silicon Switching Diode The part number 1S2835-L is manufactured by HITACHI. It is a semiconductor device, specifically a high-voltage switching transistor. The key specifications for this part include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 5A
- **Power Dissipation (PC)**: 50W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

This transistor is designed for use in high-voltage applications, such as power supplies and inverters.