Silicon Epitaxial Planar Diode for Various Detector, Modulator, Demodulator The part 1S2076A is a Schottky Barrier Diode manufactured by Hitachi. The key specifications for the 1S2076A are as follows:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.55V at a forward current of 1A.
- **Reverse Voltage (VR):** 40V.
- **Forward Current (IF):** 1A.
- **Reverse Current (IR):** Typically 50µA at the rated reverse voltage.
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C.
- **Package Type:** DO-35.

These specifications are based on standard test conditions and typical values. For precise performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.