Rectifiers Silicon Diffused Type General Purpose Rectifier Applications The part 1S1885A is manufactured by Toshiba. It is a silicon rectifier diode with the following specifications:

- Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM): 600V
- Maximum average forward current (IF(AV)): 1A
- Peak forward surge current (IFSM): 30A
- Forward voltage (VF): 1.1V at 1A
- Reverse current (IR): 5µA at 600V
- Operating junction temperature range (Tj): -55°C to +150°C
- Package: DO-41

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Toshiba for the 1S1885A diode.