Conductor Products, Inc. - HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP The 1N5806 is a silicon rectifier diode manufactured by Solid State Inc. (SSI). Key specifications include:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 3.0 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are typical for the 1N5806 diode as provided by SSI.

Conductor Products, Inc. - HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP The 1N5806 is a silicon rectifier diode manufactured by NA (New Jersey Semiconductor). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 6 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical) at 6 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 1N5806 diode.