Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications The 1N5712 is a Schottky diode manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: DO-35
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 70 V
- **Average Rectified Forward Current (I_F(AV))**: 15 mA
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 200 mA
- **Forward Voltage (V_F)**: 0.41 V at 1 mA
- **Reverse Current (I_R)**: 5 µA at 70 V
- **Junction Capacitance (C_J)**: 1.5 pF at 0 V, 1 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics for the 1N5712 Schottky diode.