Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors The 1N5630A is a silicon power rectifier diode manufactured by Motorola Semiconductor (MSC). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Power Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 6.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 6.0 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-4 (stud mount)

These specifications are based on Motorola Semiconductor's datasheet for the 1N5630A diode.