SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE：400V CURRENT: 1.0A The 1N5617 is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 3 A
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA at 600 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 1N5617 diode.