VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS The 1N5615 is a silicon rectifier diode manufactured by MIC (Microsemi Corporation). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical) at 3.0 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the standard datasheet provided by MIC for the 1N5615 diode.