Leaded Rectifier Fast Recovery The 1N5551 is a silicon epitaxial planar diode manufactured by SSI (Solid State Inc.). It is designed for general-purpose rectification applications. Key specifications include:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 200V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS):** 140V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC):** 200V
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 3A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 3A)
- **Reverse Recovery Time (trr):** 500ns (maximum)
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +175°C

The diode is available in a DO-41 package.