Leaded Rectifier Fast Recovery The 1N5417 is a silicon rectifier diode manufactured by General Instrument (GI). It is designed for general-purpose rectification applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 3.0 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-4 (stud mount)

These specifications are typical for the 1N5417 diode as provided by General Instrument.