3.0 AMP SILICON RECTIFIERS The 1N5406 is a general-purpose rectifier diode manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 200 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.0 V (typical at 3.0 A)
- **Reverse Current (IR)**: 5.0 µA (maximum at 600 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are typical for the 1N5406 diode and are subject to the operating conditions and environment. Always refer to the official datasheet for detailed and precise information.