1.5 AMP SILICON RECTIFIERS The 1N5399 is a general-purpose rectifier diode manufactured by MIC (Micro Commercial Components). Here are the key specifications:

- **Type**: General-purpose rectifier diode
- **Package**: DO-15
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1.5 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 1000 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.0 V at 1.5 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA at 1000 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

1.5 AMP SILICON RECTIFIERS The 1N5399 is a rectifier diode manufactured by BUFAN. It has the following specifications:

- **Type**: General Purpose Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1.5 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 1000 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.0 V (typical) at 1.5 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum) at 1000 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-15

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

1.5 AMP SILICON RECTIFIERS The 1N5399 is a general-purpose rectifier diode manufactured by Fairchild Semiconductor (FD). Here are the key specifications:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1.5 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 1000 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.0 V (typical) at 1.0 A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum) at 1000 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-15

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 1N5399 diode.