GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER The 1N5062GP is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Package**: DO-41
- **Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 800 V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 3 A
- **Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 3 A
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA at 800 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C

These specifications are typical for the 1N5062GP diode as provided by Vishay.