Leaded Rectifier General Purpose The 1N5062 is a silicon rectifier diode manufactured by PHILIPS. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200 V
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 3 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum at 200 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on the standard datasheet information provided by PHILIPS for the 1N5062 diode.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5062 is a silicon rectifier diode manufactured by various companies, including PH (a common abbreviation for Philips). The specifications for the 1N5062 typically include:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically around 1 V at 3 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: Typically in the range of a few microseconds
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)

These specifications are standard for the 1N5062 diode and are consistent across manufacturers, including PH (Philips). Always refer to the specific datasheet for precise values and tolerances.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5062 is a silicon rectifier diode manufactured by PHISIPS. It is designed for general-purpose rectification applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 3.0 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are typical for general-purpose rectifier diodes and are suitable for use in power supplies, converters, and other rectification circuits.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5062 is a silicon rectifier diode manufactured by General Semiconductor (GS). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 3.0 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5.0 µA (maximum at 200 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 1N5062 diode.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5062 is a silicon rectifier diode manufactured by DIODES Incorporated. It is designed for general-purpose rectification applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical) at 3.0 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are typical for the 1N5062 diode and are subject to standard manufacturing tolerances.