Leaded Rectifier General Purpose The 1N5061 is a silicon rectifier diode manufactured by PHILIPS. It is designed for general-purpose rectification applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 3.0 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (axial leaded)

These specifications are typical for the 1N5061 diode as provided by PHILIPS.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5061 is a silicon rectifier diode manufactured by PH (formerly Philips Semiconductors). Key specifications include:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 100 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical) at 3 A
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 1N5061 diode.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5061 is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Package**: DO-41
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 600 V
- **Maximum Average Forward Current (I_F(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (V_F)**: 1.1 V at 1 A
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 500 ns
- **Operating Junction Temperature Range (T_J)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -65°C to +175°C

These specifications are typical for the 1N5061 diode as provided by Vishay.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5061 is a silicon rectifier diode manufactured by PHISIPS. It has a maximum repetitive peak reverse voltage of 600V, a maximum average forward rectified current of 3A, and a forward voltage drop of 1.1V at 3A. The diode operates within a temperature range of -65°C to +175°C. It is designed for general-purpose rectification applications.