Leaded Rectifier General Purpose The 1N5060 is a silicon rectifier diode manufactured by PH (formerly Philips Semiconductors). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 5 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 5 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum at 600 V)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are based on the datasheet provided by PH for the 1N5060 rectifier diode.