Leaded Rectifier General Purpose The 1N5059 is a silicon rectifier diode manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM))**: 150 A
- **Maximum Reverse Voltage (VR))**: 400 V
- **Forward Voltage Drop (VF))**: 1.1 V at 3.0 A
- **Reverse Current (IR))**: 5.0 µA at 400 V
- **Operating Junction Temperature (TJ))**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG))**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-201AD (Axial Lead)

These specifications are typical for the 1N5059 diode as provided by Vishay.

Leaded Rectifier General Purpose The 1N5059 is a silicon rectifier diode manufactured by various companies, including HAR (Harrison Semiconductor). The key specifications for the 1N5059 diode are as follows:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 3.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 80 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 400 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 3.0 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Package Type**: DO-41

These specifications are typical for the 1N5059 diode and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for detailed information.