General purpose low leakage diode. Working inverse voltage 130V. The 1N484B is a silicon rectifier diode. Here are the key specifications:

- **Manufacturer**: NJS (New Jersey Semiconductor)
- **Type**: Silicon Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200V
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 1V at 1A
- **Reverse Leakage Current (IR)**: Typically 5µA at 200V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on typical values and may vary slightly depending on the specific batch or conditions.