GENERAL PURPOSE SILICON DIODES The 1N483B is a silicon power rectifier diode. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)
- **Type**: Silicon Power Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1.0 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 200 V
- **Maximum Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V at 1.0 A
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5.0 µA at 200 V
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -65°C to +175°C
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 1N483B diode.