Switching Diodes The 1N4448W is a high-speed switching diode manufactured by TAKCHEONG. Key specifications include:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 100V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS):** 75V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC):** 100V
- **Maximum Forward Voltage (VF):** 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR):** 5µA at 75V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM):** 4A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Recovery Time (trr):** 4ns
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -65°C to +175°C
- **Package:** SOD-123

These specifications are typical for the 1N4448W diode as provided by TAKCHEONG.

Switching Diodes The 1N4448W is a high-speed switching diode manufactured by various companies, including Vishay and ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Maximum Reverse Voltage (V_R):** 100 V
- **Average Rectified Forward Current (I_F(AV)):** 150 mA
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM):** 4 A
- **Forward Voltage (V_F):** 1 V at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (t_rr):** 4 ns
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +175°C
- **Package:** SOD-123

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.

Switching Diodes The 1N4448W is a high-speed switching diode manufactured by CJ. Key specifications include:

- **Maximum Reverse Voltage (V_R):** 100V
- **Average Rectified Forward Current (I_F(AV)):** 200mA
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM):** 4A
- **Forward Voltage (V_F):** 1V at 10mA
- **Reverse Recovery Time (t_rr):** 4ns
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +175°C
- **Package:** SOD-123

These specifications are typical for the 1N4448W diode and are subject to variation based on operating conditions.